〔プレスリリース〕世界初!次世代の省電力・超高速電子デバイス材料の精密な合成に成功 シリコン半導体の微細化の限界を突破するグラフェンナノリボン ~炭素原子17個分の幅に仕立て、電気的特性を最高レベルに~
奈良先端科学技術大学院大学(学長:横矢直和)先端科学技術研究科 物質創成科学領...
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奈良先端科学技術大学院大学(学長:横矢直和)先端科学技術研究科 物質創成科学領...
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世界初!次世代の省電力・超高速電子デバイス材料の精密な合成に成功シリコン半導体の...
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